苹果目前的iPhone 6/iPhone 6 Plus中的64GB/128GB机型使用了TLC闪存，被认为是导致频繁卡机、闪退、重启的原因。苹果目前并没有就这一事件发表声明，不过据韩国商业网站BusinessKorea的报道，苹果目前正在和三星协商，希望三星能重新为苹果iPhone 6/iPhone 6 Plus提供闪存芯片，用于取代目前频繁导致故障发生的TLC闪存。
苹果目前的iPhone 6/iPhone 6 Plus的64GB（部分）及128GB机型中使用了来自SK Hynix、Toshiba和Sandisk的TLC闪存芯片，TLC芯片的成本要低于SLC以及MLC闪存芯片，在性能上也有所差距。虽然苹果一直在逐渐摆脱三星对供应链的控制，但这一次苹果也不得不重新寻求和三星进行合作，此外苹果也希望三星能为其提供iOS设备使用的电池以及Apple Watch中使用的芯片，下一代的苹果A系列处理器将可能采用三星14nm工艺制造。
就我的理解，苹果在2011年以5亿美刀收购了闪存技术解决方案提供商Anobit，当时苹果就是看上了Anobit的TLC主控技术，目前苹果用上了Anobit的TLC主控技术，使用TLC主控技术可以降低生产成本。然后问题来了！由于TLC闪存并没有独立的缓存，苹果只能在主内存里为其划出缓冲区，但苹果祖传的1GB RAM在运行了大量的应用之后明显不足以提供足够的缓存空间，所以只能干掉进程，所以程序闪退和卡机的问题也就随之发生。在运行了大量应用的情况下，TLC闪存的机型崩溃的几率大大增加（读者们有兴趣可以试试）。
目前16G的iPhone 6/iPhone 6 Plus使用的是MLC闪存芯片，64GB有一半可能买到TLC闪存芯片，而128GB的iPhone几乎都是TLC闪存芯片，如果读者们在意这一点，可以先观望。
