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10/7nm工艺虽好,但Intel并不急于下手

2015-4-16 11:21| 发布者: xchtl| 查看: 6665| 评论: 20|来自: 超能网

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摘要: Intel、三星今年的主流制程工艺是14nm FinFET,TSMC下半年也会量产16nm FinFET工艺,而且他们在下下代的10nm工艺上追得很紧,预计2017年就会量产。现在Intel倒是不着急了,而且10nm工艺的制造设备安装时间还推迟了,尽管Intel在不同场合一直宣传未来的10nm甚至7nm工艺在提升晶体管 ...

Intel、三星今年的主流制程工艺是14nm FinFET,TSMC下半年也会量产16nm FinFET工艺,而且他们在下下代的10nm工艺上追得很紧,预计2017年就会量产。现在Intel倒是不着急了,而且10nm工艺的制造设备安装时间还推迟了,尽管Intel在不同场合一直宣传未来的10nm甚至7nm工艺在提升晶体管密度、降低成本上做的多么好,但是Intel自己并不急于下手,新工艺投资还是太贵了。

如果按照最初的规划,Intel应该在今明两年就会进入10nm节点了,但14nm工艺去年有过一次延期,而Inte原本准备在今年3月份开始在以色列的晶圆厂安装10nm工艺制造设备,但现在设备安装计划已经推迟到了12月份了。

更先进的工艺意味着更高的晶体管密度,这将带来更高的性能、更低的成本,但先进工艺的投资也达到十多亿甚至几十亿美元,前期的资本投资也是个沉重的负担。在昨天的财报会议上,Intle高管表示“通过14nm、10nm以及对7nm的早期研究,晶体管密度提升(带来的优势)将抵消每平方英寸晶圆的资本投资影响。”

CEO科再奇也说10nm工艺下晶圆的资本投入成本会提升,但不如晶体管密度提升的那么多。但是Intel公司拒绝给出10nm工艺的预期时间,也拒绝回应前面提到的10nm制造设备推迟安装的报道,只表示10nm工艺是未来的事,一切正在按计划进行。

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