四大NAND豪门中，三星在2014年制霸全球SSD市场，Intel、闪迪、美光、东芝也位列前五，唯独SK Hynix位列第十，SSD营收比希捷、西数还低。不仅是闪存，就连内存产业，SK Hynix也被三星远远甩在了后面，现在SK Hynix准备奋发图强，今年量产36层堆栈的3D NAND闪存，还有16nm工艺的TLC闪存，DRAM内存也加速推进后10nm工艺。
别人虽然有技术领先优势，但SK Hynix有秘密武器（大火）
三星这两年获得更高的NAND及DRAM份额主要是靠技术推动，他们去年就率先量产了V-NAND技术的3D闪存，三星之外的其他公司要到今年才开始生产。SK Hynix表示他们去年成功开发了24层堆栈的3D闪存，今年也准备大规模量产3D闪存了，首次量产的则是36层堆栈的3D闪存，今年底还会准备48层堆栈的3D闪存量产工作。
三星量产的V-NAND闪存是32层堆栈的，不过今年下半年也准备量产48层堆栈的，Intel/美光系公布的3D NAND闪存也是32层堆栈的，更多堆栈的也在研究之中了。东芝、闪迪也在日本四日市新建Fab 2工厂，预计2016年才会大规模量产3D闪存。
除了3D闪存，SK Hynix也会继续加强传统的平面闪存，很快会推出16nm TLC闪存，并在Q2季度将TLC闪存产能提升到10%的比例，今年底达到40%的比例。此外，Q3季度他们还会推出16nm TLC闪存的SSD，并会把TLC SSD的比例提升到20-30%。
内存方面，三星的20nm工艺已经大规模量产了，SK Hynix还需要不断提升产品。位于韩国京畿道省利川市的M14 DRAM晶圆厂已进入最终阶段，半导体设备已经备货了，预计从年底开始运营。一旦开始正式生产，其产能将达到每月1.5万片晶圆。
不过SK Hynix在技术上还有点落后，他们预计要到明年6月份才能提供后10nm工艺的DRAM样品，而三星已经准备量产后10nm工艺DRAM内存了。
