先进芯片工艺 GAAFET
作为先进的半导体技术厂商之一的三星电子于2022.06.30宣布, 基于 3nm 全环绕栅极(Gate-All-AroundT,简称 GAA)制程工艺节点的芯片已经开始初步生产。三星电子首次实现GAA“多桥-通道场效应晶体管”（简称: MBCFET™Multi-Bridge-Channel FET）应用打破了FinFET技术的性能限制，通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时还通过增加驱动电流增强芯片性能。三星首先将纳米片晶体管应用于高性能、低功耗计算领域的半导体芯片，并计划将其扩大至移动处理器领域。
三星又行了?手持三条八表示持保留意见。 本帖最后由 rubycon 于 2022-9-7 09:41 编辑
hanjiachun 发表于 2022-9-7 09:32 https://bbs.pcbeta.com/static/image/common/back.gif
三星又行了?手持三条八表示持保留意见。
什么 3 条8 了？
好像 TSMC 还没有开始 GAA 工艺。 rubycon 发表于 2022-9-7 09:35 https://bbs.pcbeta.com/static/image/common/back.gif
什么 3 条、8条了？
好像 TSMC 还没有开始 GAA 工艺。
三条八：高通焱龙888 hanjiachun 发表于 2022-9-7 09:38 https://bbs.pcbeta.com/static/image/common/back.gif
三条八：高通焱龙888
这个可能是高通的设计问题吧。
据说 TSMC 生产的 888，也是差不多的高发热问题了。 rubycon 发表于 2022-9-7 09:41 https://bbs.pcbeta.com/static/image/common/back.gif
这个可能是高通的设计问题吧。
据说 TSMC 生产的 888，也是差不多的高发热问题了。
三星的8G1和高通的8+G1，虽然在峰值功耗和峰值发热上无差，但是中低负债应用上功耗发热差的可不是一点半点 hanjiachun 发表于 2022-9-7 09:48 https://bbs.pcbeta.com/static/image/common/back.gif
三星的8G1和高通的8+G1，虽然在峰值功耗和峰值发热上无差，但是中低负债应用上功耗发热差的可不是一点半点 ...
主要还是这两年ARM公版架构设计的问题，为了提高性能，功耗上升太多。 三星工艺看个乐子就好 为啥还有人觉得三星出的东西一定是好东西？大清还没有亡么？ 进来看看啥情况
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