Intel与镁光公司宣布正式推出其20nm制程NAND闪存芯片产品，再一次站在了NAND闪存制造技术的最前沿。这款产品将由两家公司的合资公司IMFT进行生产。新的20nm制程将用于生产8GB容量的MLC NAND闪存设备。
此前，东芝与SanDisk组成的联盟占据着NAND闪存制造技术的领先地位。两家公司同样成立了一家合资企业，目前这家企业已经推出了24nm制程的NAND产品，正在增加这款产品的产能。而Hynix半导体与三星电子两家韩国企业则也已经先后推出了2xnm级别制程的NAND闪存芯片产品。
IMFT推出的这款20nm制程8GB NAND闪存芯片的芯片面积仅为118平方毫米，宽度方向尺寸相比前代的25nm 8GB NAND产品缩小了30-40%（实际缩小的尺寸依赖于芯片所采用的封装形式）。另外，新20nm制程NAND闪存芯片产品在性能与耐久性方面则与前代25nm产品基本持平。
据透露，这款20nm 8GB容量NAND闪存芯片目前还在试样阶段，预计今年下半年可投入量产，届时IMFT还将推出同样采用20nm制程技术的16GB容量的闪存芯片样品，并最终将这种芯片的容量提升到128GB。
另：几天前曾有传言称两家公司周四将就新加坡NAND闪存工厂的合作事宜做重要声明，但现在看起来实际情况似乎与大家预料的有所不同。
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