当今在移动设备领域，智能手机的组件发展迅速，在过去几年时间里发生了质的变化。比如，AMR 处理器从单核 256MHz 发展到超过 1GHz 频率和核心，显示屏从 320×240 像素飞跃至 2K 级别，摄像头也从 300 万像素升级到了恐怖的 4100 万像素。虽然 RAM 还在一点一点的增加，电池技术似乎没有太大改变，但是下一个发生巨变的很有可能就是内置的储存空间。 前几日，来自莱斯大学（Rice University）的研究小组公布了他们最新针对储存的研发成果，据称一种新型的可变阻式 RAM（RRAM）已经研发成功，并且具备功耗小，不易发热等特点，寿命是常规类型的 100 倍，超高的密度是现有的闪存密度高 50 倍，允许在仅一枚邮票大小的空间里容纳 1TB 容量的数据。 莱斯大学的研究小组介绍称，硅是地球上最丰富的元素，关于它的研究也最多，于是才考虑将硅作为 RRAM 的介电元件。得益于新的材料多孔氧化硅，降低了成型电压，提高了可制造性，使该新型 RRAM 储存可在常规的制造方法下制造。换句话说，常规制造成本等因素不变，但提高了储存的容量。
早在 2010 年，研究成员之一的化学家詹姆斯便已开始钻研，他所成立的研究小组就已发现了氧化硅用于制造导电细丝的途径，随着这扇研发之门的打开，将其当作 RRAM 材料思路便产生了。他表示，新 RRAM 还是三层结构的设计，不过二氧化硅层成为了两个电极之间中间的交换介质，让硅填充间隙，之后再通过电压脉冲来在硅间隙上存储数据。 该研究小组坚信新型 RRAM 的未来一片光明。“它可以在室温下制造，具有极低的形成电压、低功耗、高开关比等特性，不仅每个存储单元可以存放 9 个字节，而且还拥有出色的开关速度和耐用性。” 目前才用新制造商技术的新型 RRAM 已经引起了几个厂商的兴趣，不久之后将考虑技术授权，这意味着未来几年还会有更多的厂商参与其中，届时我们将与传统的闪存说再见，取而代之的将是高达 1TB 的 RRAM。 |
