Intel今年8月份正式公布了14nm工艺及Broadwell架构中的Core M处理器，目前已经有联想、华硕等笔记本厂商推出了基于Core M处理器的轻薄笔记本。擅长芯片级分析的Chipworks日前就以这些笔记本上的Core M处理为例子又做了一次专业分析。
详细的分析还在测试中，下面这些是Chipworks的初步工作成果，我们先来看看Intel 14nm工艺的大概情况。
这张图是放大之后的，所以有些模糊，不过从他们标记的横线那里还是能数出10个栅极距，长度699nm，平均间距69.9nm，跟下图中Intel官方公布的70nm栅极门间距（gate pitch）是相符的。
Intel官方公布的栅极门间距是70nm
这张图上可以看到鳍片（fin），有20个个，总长843nm，平均间距是42nm，也跟Intel的官方说法相符。
再来看看横切面的剖图，Intel宣称顶部的金属层是从65nm工艺就开始用的了，有13层金属层，还有一个金属注塑（MIM-cap）成型层。
再来看看边缘的情况，这里没有金属层或者MIM-cap层，可以数出12层截面。
之前在IBM 22nm工艺的Power8处理器上见到过12层金属，Intel最新几代产品使用的是9层，BayTrai处理器上是11层。
Intell公布的互联门间距是52nm，不过这里显示的是54nm，这里面可能有些误差。
现在他们还没有详细的TEM资料，所以看不清晶体管或者鳍片，不过Intel官方给出过14nm 3D晶体管的图片，如下图所示。
从图片来看，Intel的14nm晶体管相比22nm工艺明显缩小了，鳍片（fin）也改进了，栅极金属看起来跟22nm差不多，早期的工艺中还使用了钨栅极填充。（这应该是第四次金属栅极工艺的升级换代了）
Chipworks的详细分析很快会出炉，不过他们的报告是要收费的，适合企业用户去研究。
