结果发现，同样是iPhone 6 64GB A1586港行，出现了HYNIX(海力士)、TOSHIBA(东芝)MLC颗粒及TOSHIBA(东芝)、SANDISK(闪迪) TLC颗粒四种不同版本。
为了测试采用不同闪存颗粒的iPhone 6 64GB在磁盘性能方面是否存在差异，HKEPC使用SSH对样机进行了DD Copy测试，分为Zero Fill（全零填充）以及Random Fill（随机填充）两种方式，进行1K、4K、16K、64K、256K、1024K、4096K、8192K、32768K大小文件测试，每个文件大小重复100次。
Zero Fill（全零填充）测试：
HKEPC测试发现，采用TLC闪存的iPhone 6 64GB会针对磁盘系统进行快速存取优化，只要开启显存使用的App，当系统进行拷贝时会使用系统内存进行暂存，以提升TLC写入的系统性能，甚至出现了TLC闪存颗粒的iPhone 6 64GB进行拷贝时，性能表现超越了MLC颗粒的版本，最高写入速度高达207MB/s。
不过，但数据文件超过400MB以后，其系统性能就会出现严重的下降，前台应用甚至会出现延迟或者闪退的情况。如果采用TLC闪存的iPhene 6 64GB开启了多个消耗系统内存的App，磁盘性能下降问题会更明显，因为磁盘系统会根据内存使用情况分配快速存取硬盘的可用容量。
iPhone 6 64GB TLC NAND闪存加入了动态缓存技术
iPhone 6 64GB MLC NAND闪存没有动态缓存技术
另一方面，采用MLC闪存的iPhone 6 64GB进行文件拷贝时，系统内存并没有针对磁盘进行快速存取，但整体表现比较平均。其中，以采用TOSHIBA(东芝)MLC颗粒的性能最佳,最高写入速度达到79.2MB/s，HYNIX(海力士)MLC颗粒就要差一些，最高只有70.2MB/s。
此外，和TLC不同的是，采用MLC颗粒的iPhone 6 64GB进行文件拷贝时，系统内存使用的情况并没有太多变化，也没有因为拷贝大文件写入速度大幅下降，前台应用在拷贝时保持稳定，没有出现延迟或闪退的情况。
Random Fill（随机填充）测试：
当改用随机填充测试时，TLC和MCL的性能差距明显扩大。由于系统内存难以对细小非连续的文件继续动态存取，采用TLC颗粒的iPhone 6 64GB的写入性能大幅下降至3MB/s以下。虽然采用MLC的版本表现也不是太理想，但小文件写入都在3.5MB/s，随着文件增大，表现也会明显上升。相反，TLC由于采用动态快速存取磁盘优化，对随机拷贝测试没有帮助，相反令CPU的占用率大幅度提高，导致iPhone 6出现没有反应的现象。
内存使用：
下图是TLC闪存iPhone 6 64GB的内存使用情况，当进行文件拷贝时，内存使用率会突然大幅提升。最明显的是，Inactive部分突然由93.4MB上升到232.8MB，这些文件会被iOS暂时存在内存用作为硬盘缓存，空闲部分只有28.2MB。
下图为MLC闪存iPhone 6 64GB的内存使用情况，进行文件拷贝时，内存上升幅度明显没有TLC那么大，空闲内存也有165.1MB。
点评：
使用TLC的iPhone 6确实会在高负载文件写入时出现不稳定的情况，比如应用崩溃；
MLC颗粒的性能综合表现要更好，也要稳定的多。
祈祷自己买到MLC版本吧
由此可见，此前报道的iPhone 6/6 Plus出现死机、应用崩溃的情况客观存在，而且是可以用测试证明的。从之前的消息来看，128GB版本基本都是TLC，64GB也基本是一半一半。如果你想保险，只能选择16GB版本或者购买AppleCare了。
