美光发布M600固态硬盘:搭载16nm MLC闪存

2014-9-17 10:54| 发布者: xchtl| 查看: 4136| 评论: 5|来自: 超能网

摘要: 美光新一代SSD固态硬盘中已经发布了M500、M550以及入门级的MX100,前两者是20nm MLC闪存的,而MX100部分使用了16nm MLC闪存,它们的定位都不算高,性价比倒是不错。现在美光终于推出了旗舰级的M600固态硬盘,全面使用16nm MLC闪存,但是性能和可靠性指标都非常高,读取速度达到了5 ...

美光新一代SSD固态硬盘中已经发布了M500、M550以及入门级的MX100,前两者是20nm MLC闪存的,而MX100部分使用了16nm MLC闪存,它们的定位都不算高,性价比倒是不错。现在美光终于推出了旗舰级的M600固态硬盘,全面使用16nm MLC闪存,但是性能和可靠性指标都非常高,读取速度达到了560MB/s,128GB版SSD的写入速度也有400MB/s,数据寿命100TB,最高可达400TB,远超M500/M550的72TB写入寿命。

美光M600有128、256、512及1TB四种容量,规格有标准7毫米2.5寸、mSATA及M.2三种,其中M.2有2260、2280两种长度,不过2280版是单面PCB布局,所以最高容量只有512GB,1TB版只有2.5寸规格的。


Anandtech网站做的规格表

主控方面,M600使用的是M550一样的Marvell 88SS9189主控,闪存则全面应用了最新的16nm MLC,而且全部是128Gbit(容量16GB)核心的,此前厂商大多在大容量SSD上才会使用128Gbit核心NAND的。

相比M500/M550在性能上的不愠不火,M600硬盘的性能突飞猛进,四种容量的M600读取速度都达到了560MB/s,128GB版写入速度为400MB/s,其他三款写入速度则达到了510MB/s,随机4K读取性能超过10万IOPS,写入也有8.8万IOPS。

闪存制程越先进,理论上性能是会下降的,不过厂商可以通过其他方式弥补这个问题。美光M600性能突飞猛进靠的是动态写入加速技术(Dynamic Write Acceleration,简称DWA),简单来说就是闪存可在MLC和更高速的MLC两种模式之间转换,如果你记得闪迪的nCache及三星的缓存加速技术,那么DWA技术就更好理解了。

另外,此前台湾ATP公司推出的aMLC技术也有类似的操作方式,将MLC模拟成SLC闪存,在牺牲一半容量的情况下换取5倍性能提升、15倍可靠性改善。

根据美光所说,他们的DWA技术即使在满盘时也能保持运作,以上图为例,95%容量占用时M600的性能跟标准MLC模式是一样的,不过SLC缓存依然能跟竞争对手的SLC缓存相比。在90%空间占用时,DWA下的写入性能超过标准模式一倍多,而在50%容量占用时,写入速度则是标准模式的10倍多。

DWA技术在低容量SSD上更有效,所以不是所有M600硬盘都使用了DWA技术,512GB及1TB版就没有DWA技术,不过所有mSATA、M2规格的M600都使用了DWA技术。

DWA不仅带来了性能上的大幅提升,还提高了M600的数据寿命,此前M500/M550的标称数据寿命只有72TB左右,而M600上128GB容量的也有100TB数据写入寿命,256GB、512GB及1TB分别有200TB、300TB及400TB的写入寿命。

目前M600主要面向OEM及企业级用户出货,消费级的上市时间未知,价格也没有公布。

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