对于下一代存储技术,人们不仅希望它速度更快,延迟更低,还希望它是是非易失性的,断电之后数据不损失。在众多后续标准中,MRAM(磁阻随机存取存储器)是最有希望胜出的,具备了上面提及的两个优点。在日本的高新技术博览会上,TDK公司首次展示了STT-MRAM技术制造出来的8Mb存储器,虽然容量很小,不过读写性能已经是闪存的7倍多了。
Intel、IBM、三星、SK Hynix、高通等公司都在投入研发,不过日本公司在这个领域实力也很强大,除了东芝外,TDK也是重要的参与者,这次他们在日本Ceatec博览会上首次公开了MRAM晶圆,还有实际的性能演示。
TDK的MRAM技术基于STT(Spin-transfer torque,自旋钮转换),技术方案之前就有过了,不过TDK研究的是新方法,它以磁荷存储数据,通过STT效应命名数据状态,在写入数据时可以借此约束电子获得磁场强度变化。
从PCWORLD的报道来看,在展会现场TDK还做了STT MRAM与闪存的性能对比,左侧的是他们研发的STT MRAM平台,右侧的是NOR闪存,MRAM的性能是NOR闪存的7倍多。
目前MRAM技术依然在研发中,TDK通过旗下的Headway公司生产了8英寸的MRMA晶圆(第一张图所示)做测试用,不过Headway公司不具备大规模量产的能力,所以TDK以后还需要一家合作伙伴来帮他们生产MRAM。
在MRAM领域,TDK的主要对手是美国的Everspin公司,2年前他们也推出了ST MRAM芯片,而且是16Mb容量的,读写性能也非常惊人。
不过目前的MRAM技术都是镜中花水中月,理论优势很好,但是技术根本不成熟,而且自身也有天生劣势,距离实用还有很长一段距离的。