今年下半年NAND闪存制程将向15/16nm迈进，东芝、闪迪今年4月份已经在Fab 5工厂试产15nm闪存。随着需求的增大，15nm晶圆厂产能也要增加，东芝、闪迪宣布为期一年的Fab 5二期工厂今年9月份就会竣工。为了布局未来的3D闪存，双方现在日本四日市新建Fab 2晶圆厂，预计2016年投产3D闪存。 东芝、闪迪在日本四日市已经有Fab 5 一期工厂，始建于2010年，完成于2011年，这也是东芝系NAND产能的主力。去年8月份东芝、闪迪开始建设二期工程，今年9月份会完工。 此前一期工程已经试产过15nm NAND闪存，不过15nm工艺的主力还是新建成的二期工厂，今年底就会大规模投产了。 同时在四日市新建的Fab 2工厂则主要瞄向了3D闪存，目前三星已经量产了V-NAND闪存，而且在中国西安投资70亿美元新建晶圆厂生产3D闪存，东芝和闪迪进入3D闪存的进度没这么快，今年建工厂，2016年才能投产3D闪存。 |
