摘要: 半导体制程现在已经达到了14nm节点，10nm之后的制造工艺越来越困难，需要EUV即紫外光刻这样的新一代半导体制造设备。在EUV工艺上，原本领头的Intel公司实力雄厚，多次表示就算没有EUV设备，他们也会制造7nm工艺的晶体管，不过TSMC现在把赌注压在了EUV上，现在与ASML公司携手将EUV设 ...
半导体制程现在已经达到了14nm节点，10nm之后的制造工艺越来越困难，需要EUV即紫外光刻这样的新一代半导体制造设备。在EUV工艺上，原本领头的Intel公司实力雄厚，多次表示就算没有EUV设备，他们也会制造7nm工艺的晶体管，不过TSMC现在把赌注压在了EUV上，现在与ASML公司携手将EUV设备的每日产能提升到了1000片晶圆，距离实用为期不远了。
TSMC计划在2016年的10nm节点上就启用EUV工艺，所以他们现在对EUV工艺是最热心的，只不过EUV设备目前还是新技术，产能上不去，此前IBM与ASML创造的记录是每天处理637片晶圆。现在TSMC与EUV的努力下，EUV光刻设备在90W光源下实现了每天1022片晶圆的处理速度。 1000片晶圆/天的产能对EUV工艺来说是个新的里程碑，达到1500片晶圆/天的产能之后EUV设备才具备经济效益，这也是ASML与EUV的下一个目标。目前1000片晶圆/天的产能是ASML公司NXE:3300B设备实现的，其升级型号NXE:3350B将达到1500片晶圆/天的产能。 TMSC公司目前上马了至少四套EUV光刻设备，并打算在2016年底的10nm工艺上尽快启用EUV工艺。不过ASML公司对此倒不是很乐观，至少要到2018年才能大规模使用。2016年底就算能启用EUV工艺，初期也只能用在一些小而且简单的芯片上，比如逻辑电路、DRAM及NAND闪存等，复杂的SoC处理器还得等等。 |
