Intel、三星今年的主流制程工艺是14nm FinFET，TSMC下半年也会量产16nm FinFET工艺，而且他们在下下代的10nm工艺上追得很紧，预计2017年就会量产。现在Intel倒是不着急了，而且10nm工艺的制造设备安装时间还推迟了，尽管Intel在不同场合一直宣传未来的10nm甚至7nm工艺在提升晶体管密度、降低成本上做的多么好，但是Intel自己并不急于下手，新工艺投资还是太贵了。
如果按照最初的规划，Intel应该在今明两年就会进入10nm节点了，但14nm工艺去年有过一次延期，而Inte原本准备在今年3月份开始在以色列的晶圆厂安装10nm工艺制造设备，但现在设备安装计划已经推迟到了12月份了。
更先进的工艺意味着更高的晶体管密度，这将带来更高的性能、更低的成本，但先进工艺的投资也达到十多亿甚至几十亿美元，前期的资本投资也是个沉重的负担。在昨天的财报会议上，Intle高管表示“通过14nm、10nm以及对7nm的早期研究，晶体管密度提升（带来的优势）将抵消每平方英寸晶圆的资本投资影响。”
CEO科再奇也说10nm工艺下晶圆的资本投入成本会提升，但不如晶体管密度提升的那么多。但是Intel公司拒绝给出10nm工艺的预期时间，也拒绝回应前面提到的10nm制造设备推迟安装的报道，只表示10nm工艺是未来的事，一切正在按计划进行。
