TSMC提前为海思麒麟930试产16nm FinFET工艺

华为旗下的海思半导体前不久发布了麒麟920处理器，在性能上已经赶上了骁龙800的水平，基带上甚至有所超出，而在下一代制程处理器上还会抢先，海思已经成为TSMC的16nm FinFET工艺首批客户之一。现在TSMC决定在今天Q3季度提前试产16nm FinFET工艺，其中就有海思下一代的麒麟930处理器，8合心big.LITTLE架构，64位架构。

据台湾《工商时报》报道，TSMC日前召开例行董事会，会议核准资本预算910.3亿新台币，主要用于扩充先进制程产能、转置部分逻辑制程产能为多种特殊制程产能，兴建厂房、安置清洁室、扩充先封装产能，还有Q4季度的研发资本预算与经常性资本预算。

TSMC在16nm节点规划了两种工艺，Q3季度试产的是16nm FinFET工艺，预计Q4季度正式量产，海思半导体就是该工艺首批客户之一，目前的麒麟920使用的是28nm HPM制程，64位8核架构的麒麟930则会率先使用16nm FinFET工艺。

TSMC的第二种16nm工艺是改进版的16nm FinFET Plus，预计今年Q4季度试产，2015年Q1季度量产。这代工艺中，试产的芯片就包括苹果的A9处理器。