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TSMC、华为海思宣布首款16nm FinFET处理器

2014-9-26 12:30| 发布者: xchtl| 查看: 7370| 评论: 11|来自: 超能网

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摘要: TSMC台积电目前的主力工艺是28nm,20nm已经量产,但产能主要供给苹果、高通等VIP客户,再下一代就是16nm FinFET工艺了,这一次抢先进入16nm工艺的却不是高通或者苹果,而是华为旗下的海思半导体,日前双方联合宣布了首款基于16nm FinFET工艺、可全功能运行的下一代处理器,32核4位 ...

TSMC台积电目前的主力工艺是28nm,20nm已经量产,但产能主要供给苹果、高通等VIP客户,再下一代就是16nm FinFET工艺了,这一次抢先进入16nm工艺的却不是高通或者苹果,而是华为旗下的海思半导体,日前双方联合宣布了首款基于16nm FinFET工艺、可全功能运行的下一代处理器,32核4位CortexA-57架构。


海思麒麟920目前使用的还是28nm工艺,下一代则是TSMC的16nm FinFET工艺

此前就有消息称海思将成为TSMC公司16nm FinFET工艺的首个客户,首发的还是华为海思下一代麒麟930处理器,8核64位架构,不过现在TSMC和海思宣布的处理器并非麒麟SoC,而是基于ARM架构的网络处理器,主要用于下一代高性能、低能耗设备,不过华为的16nm FinFET工艺的麒麟930处理器相信也不会很远了,一旦正式量产,海思肯定是首批客户。

TSMC去年11月份完了了16nm FinFET工艺的质量认证并开始试产。根据TSMC所说,相比目前的28nm HPM工艺,16nm FinFET工艺的晶体管密度提升1倍,运行速度提升40%,或者同样的性能下节省60%的功耗。

至于双方发布的这个16nm FinFET处理器,海思总裁Teresa He表示这是业界首款32核Cortex-A57架构产品,基于64位ARMv8指令集,运行频率2.6GHz,这款网络处理器的性能相比前代产品提升了三倍。

除了16nm FinFET工艺之外,海思这款32核处理器还使用了TSMC的多相CoWoS(heterogeneous CoWoS)3D IC封装工艺,通过这种封装工艺,海思将1个28nm I/O芯片与16nm逻辑芯片封装在一起。

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