台积电与ARM联合开发10nm FinFET工艺处理器

2014-10-8 07:31| 发布者: xchtl| 查看: 3104| 评论: 6|来自: Exp

摘要: 最近台积电与ARM公司联合宣布,基于他们在20nm和16nm工艺上成功的合作经验,未来双方将以10nm FinFET工艺合作打造ARMv8-A架构的64位ARM处理器,预计最快可在2015年第四季度开始就可以为客户提供基于10nm FinFET技术的64位ARM处理器的设计方案。台积电与ARM公司已经开展多年合作,他 ...

最近台积电与ARM公司联合宣布,基于他们在20nm和16nm工艺上成功的合作经验,未来双方将以10nm FinFET工艺合作打造ARMv8-A架构的64位ARM处理器,预计最快可在2015年第四季度开始就可以为客户提供基于10nm FinFET技术的64位ARM处理器的设计方案。

台积电与ARM公司已经开展多年合作,他们早前在20nm和16nm工艺上就已经有相当丰富的合作经验,双方确信未来10nm FinFET工艺将为ARM处理器行业带来更加的效能和功耗优势。早前台积电与ARM已经完成16nm FinFET工艺下的64位big.LITTLE架构ARM处理器的生产验证,华为海思也成为了台积电16nm FinFET工艺的首个客户。

目前台积电和ARM公司正在就10nm FinFET工艺展开紧密合作,双方对此次合作都充满信心,都希望合作成果可以为客户提供先进的制程工艺,同时为客户产品的开发加速。

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